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【授权发明专利】
【国际专利】
1. Magnetisch kodiertes Dünnfilmprodukt und Verfahren zu dessen Herstellung. 专利号：DE 112008000070，发明人：曹瑜，李晓伟，李新宇，潘峰，杨晶，曾飞。（德国专利）
2. Security functional thin film and security product containing the functional thin film.专利号：US 8257840，发明人：李晓伟，李新宇，李策，杨晶，潘峰，李彩霞，曹瑜。（美国专利）
【国内专利】
3. 一种基于双层电极高机电耦合系数的声表面波器件及其制备方法。专利号：ZL201911081522.8，发明人：潘峰，苏荣宣，曾飞，沈君尧，傅肃磊。
4. 一种便于射频前端集成的温度补偿声表面波器件及其制备方法与应用。专利号：ZL 201910348847.1，发明人：潘峰，沈君尧，傅肃磊，曾飞，苏荣宣。
5. 一种基于多层氧化物薄膜的选通器器件结构及其制备方法与应用。专利号：ZL201810826106.5，发明人：宋成，孙一鸣，殷俊，曾飞，潘峰。
6. 一种基于碳化硅衬底氧化锌或掺杂氧化锌薄膜的声表面波器件及其制备方法。专利号：ZL201810069487.7，发明人：曾飞，李起，潘峰，王为标，宋成，傅肃磊。
7. 一种由磁相转变驱动的隧道磁电阻器件。专利号：ZL201710740196.1，发明人：宋成，陈贤哲，潘峰。
8. 一种用于温度补偿声表面波器件的材料及其制备方法。专利号：ZL201610951951.6，发明人：曾飞，傅肃磊，李起，潘峰，王光月。
9. 一种大的正温度系数的氧化硅薄膜及其沉积方法。专利号：ZL201610946312.0，发明人：曾飞，李起，潘峰，傅肃磊，王光月。
10. 高质量a面氮化铝薄膜及其制备方法与应用。专利号：ZL201610898631.9，发明人：曾飞，傅肃磊，李起，潘峰，彭晶晶。
11. 在单磁阻器件实现所有16种二元布尔逻辑运算的方法。专利号：ZL201511000779.8，发明人：曾飞，高双，潘峰，宋成，崔彬，李起。
12. 一种高c轴取向AlN薄膜及其制备方法与应用。专利号：ZL201510801540.4，发明人：曾飞，傅肃磊，潘峰，李起，王敏涓。
13. 一种轨道开关及其制备方法与应用。专利号：ZL201510514698.3，发明人：宋成，崔彬，潘峰。
14. 一种长时程记忆的频率响应学习器及其制备方法。专利号：ZL201510230713.1，发明人：董文帅，曾飞，鹿思珩，潘峰。
15. 一种电场调控的反铁磁基霍尔器件及其制备方法。专利号：201510102442.1，发明人：宋成，王钰言，潘峰。
16. 高c轴取向氮化铝薄膜及其制备方法与应用。专利号：201510794985.4，发明人：曾飞，李起，潘峰，傅肃磊。
17. 在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法。专利号：ZL201410705974.X，发明人：曾飞，李起，潘峰，高双。
18. 耐高温多铁性氮化铝薄膜及其制备方法。专利号：ZL 201410479805.9，发明人：曾飞，刘宏燕，王光月，潘峰。
19. 一种基于垂直交换耦合的磁场探测器及其制备和使用方法。专利号：ZL201410148982.9，发明人：宋成，王钰言，潘峰。
20. 一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法。专利号：ZL201410264504.4，发明人：宋成，憨家豪，潘峰。
21. 具有闪锌矿结构的磁性氮化铝薄膜材料及其制备方法与应用。专利号：ZL201410478795.7，发明人：曾飞，刘宏燕，王光月，潘峰。
22. 一种具有高可见光透过率和高压电常数的共掺杂ZnO薄膜。专利号：ZL201210004182.0，发明人：曾飞，刘宏燕，杨晶，潘峰，罗景庭。
23. 一种可调控介质层磁性的阻变存储器。专利号：ZL201210186988.6，发明人：宋成，潘峰，陈光，彭晶晶。
24. 一种CuCr合金触头材料及其制备方法。专利号：ZL201110412822.7，发明人：潘峰，王光月，曾飞。
25. 一种制备金属纳米条纹的方法。专利号：ZL201110168949.9，发明人：潘峰，唐光盛，曾飞。
26. 一种具有室温铁磁性的铌酸锂薄膜及其制备方法。专利号：ZL201110170928.0，发明人：曾飞，盛蓬，潘峰，唐光盛。
27. 一种ZnO基稀磁薄膜及其制备方法。专利号：ZL201110166520.6，发明人：潘峰，王钰言，曾飞，陈光。
28. 一种基于SOI材料的具有自整流效应的阻变存储器。专利号：ZL20110155407.8, 发明人：潘峰，陈超，曾飞，罗景庭，唐光盛。
29. 一种提高ZnO薄膜材料的压电常数的方法。专利号：ZL201010170458.3，发明人：潘峰，罗景庭，曾飞。
30. 一种非易失性阻变存储器结构及其制备方法。专利号：ZL200910081636.2，发明人：潘峰，杨玉超，曾飞。
31. 一种磁场调节中心频率的声表面波滤波器及其制备方法。专利号：ZL200810119667.8，发明人：曾飞，潘峰。
32. 具有大压电常数和高电阻率的ZnO薄膜。专利号：ZL200710118646.X，发明人：潘峰;王旭波;曾飞，杨玉超。
33. 磁性编码薄膜材料及其制备方法。专利号：ZL200710122027.8，发明人：李晓伟，曹瑜，杨琼，李新宇，曾飞，潘峰。
34. 一种防伪功能薄膜及包含该薄膜的防伪物。专利号：ZL200710122026.3，发明人：李晓伟，李新宇，李策，杨琼，潘峰，李彩霞，曹瑜。
35. 声表面波气体传感器的制造方法。专利号：ZL200710064333.0，发明人：李 强，李冬梅，潘 峰。
36. 一种防伪薄膜及其制作方法。专利号：ZL200710105777.4，发明人：李新宇，李晓伟，潘峰，曾飞，曹瑜，杨惊，彭榕。
37. 一种凹印版及其制作方法和真空沉积镀膜装置。专利号：ZL200710301411.4，发明人：刘永江，李晓伟，曾飞，潘峰，桂应琪，李万里。
38. 一种在柔性基材上沉积磁性薄膜的方法。专利号：ZL200710142929.8, 发明人：曹瑜，李新宇，潘峰，李晓伟。
39. 一种轴瓦表面过渡层、减摩层制备方法。专利号：ZL200510001076.7，发明人：曾飞，潘峰，李冬梅，文胜平。（国防专利）
40. 一种表面纳米晶化改性的方法。专利号：ZL200510011856.X，发明人：曾飞，潘峰，李冬梅，文胜平。
41. 具有抗电迁移的高频声表面波器件金属合金薄膜。专利号：ZL200510076884.X, 发明人：潘峰，李冬梅，曾飞，王旭波。
42. 金刚石声表面波器件多层薄膜结构的制造方法。专利号：ZL200410096819.9, 发明人：潘峰，李冬梅，曾飞，王旭波。
43. 高频声表面波器件金属薄膜的制造方法。专利号：ZL200410097198.6，发明人：潘峰，李冬梅，王旭波，曾飞。
【专著】
Books/Chapters：
1. 潘峰，陈超，《阻变存储器材料与器件》，科学出版社，北京，2014. （Pan Feng, Chen Chao.
2. 《Resistive Random Access Memory Materials and Devices》(in Chinese), Science Press, Beijing, 2014.)
3. 潘峰等，《声表面波材料与器件》，科学出版社，北京，2012. (Pan Feng et al, 《Materials and Devices of Surface Acoustic Wave》(in Chinese), Science Press, Beijing, 2012)
4. C. Song and F. Pan, “Transition Metal-Doped Magnetic Oxides”(Chapter 7), in 《Semiconductors and Semimetals: Oxide Semiconductors》 Volume 88. Eds: Bengt G. Svensson, Stephen J. Pearton and ChennupatiJagadish. Pages 227-259. Elsevier, 2013,
5. Guest Editors: Pan Feng and Chen Xu, 《Physics Procedia》Vol.32, The 18th international Vacuum Congress (IVC-18), Elsevier, 2012.
6. Guest Editors: Pan Feng and OlindeConde, 《Thin Solid Films》, Special Issue for The 18th international Vacuum Congress (IVC-18), Vol.520 Issue2, Elsevier, 2011.
7. Yang G H, Xu D, Pan F, Metastable phases and their effects on the magnetic properties in some Co-based multilayers, In: 《Trends in condensed matter physics Research》Eds: John V. Chang,. Pages 121-140. Hauppauge: Nova Science Publishers, New York, 2005.
【教材】
1. 潘峰，王英华，陈超，《X射线衍射技术》，化学工业出版社，北京，2016.10.
【研究组主要成员】:
教授：宋成
副研究员：曾飞
博士后：傅肃磊
工程师：陈通进、何兴帅、王瑞
博士生：吴尚、郑德旭、沈君尧、苏荣宣、乔磊磊、朱文轩、徐惠平、万钦、韩磊、刘培森
【讲授课程】：
1. 《X-光衍射分析》（员工专业基础课、kaiyun体育登录网页入口精品课）
2. 《新型功能材料专题》（员工课）
【已毕业博士生和硕士生】：
博士生及其现工作单位：
曾飞，kaiyun体育登录网页入口
赵斌，上海理工大学
杨国华，宝山钢铁集团
耿魁伟，华南理工大学
谷宇，太原钢铁集团
李冬梅，中科院微电子研究所
王旭波，国家开发银行
李晓伟，中国人民银行造币总公司
宋成，kaiyun体育登录网页入口
文胜平，北京工业大学
刘雪敬，中国人民银行造币总公司
宗瑞磊，中国石油化工集团公司
杨培勇，国家核电技术公司
杨玉超，北京大学
朱晓莹，装甲兵工程公司
罗景庭，深圳大学
陈光，北京神农投资管理股份有限公司
唐光盛，中国东方电气集团有限公司
陈超，中南大学
刘宏燕，中国航空工业集团公司
王钰言，kaiyun体育登录网页入口
崔彬，山东大学
高双，宁波市创新创业管理服务中心
彭晶晶，启元实验室
李凡，德国马克思-普朗克研究所
李起，深圳市海思半导体有限公司
傅肃磊，kaiyun体育登录网页入口
王敏涓，北京航空材料研究院
王小江，招商局集团有限公司
Muhammad Shahrukh Saleem，
陈贤哲，
孙一鸣，华为技术有限公司
硕士生：张明、张自淑、丁珉、李天舒、杨帆、李晖、贺汀、顾临、陈菁菁、冯爱玲、徐迪、丁宇清、魏晓雪、连江滨